ซีวีดีเป็นวัสดุที่มีค่าการนำความร้อนสูงที่สุดในบรรดาสารธรรมชาติที่รู้จักค่าการนำความร้อนของวัสดุเพชร CVD สูงถึง 2200W/mK ซึ่งมากกว่าทองแดง 5 เท่าเป็นวัสดุกระจายความร้อนที่มีค่าการนำความร้อนสูงเป็นพิเศษค่าการนำความร้อนสูงเป็นพิเศษของเพชร CVD สามารถกระจายความร้อนที่เกิดจากอุปกรณ์ได้อย่างมีประสิทธิภาพและเป็นวัสดุการจัดการความร้อนที่ดีที่สุดสำหรับอุปกรณ์ที่มีความหนาแน่นฟลักซ์ความร้อนสูง
การประยุกต์ใช้อุปกรณ์ไฟฟ้าเซมิคอนดักเตอร์รุ่นที่สามในสาขาไฟฟ้าแรงสูงและความถี่สูงได้ค่อยๆ กลายเป็นจุดสนใจของการพัฒนาอุตสาหกรรมเซมิคอนดักเตอร์ทั่วโลกอุปกรณ์ GaN มีการใช้กันอย่างแพร่หลายในด้านความถี่สูงและพลังงานสูง เช่น การสื่อสาร 5G และการตรวจจับเรดาร์เมื่อความหนาแน่นของพลังงานอุปกรณ์เพิ่มขึ้นและการย่อขนาด เอฟเฟกต์การทำความร้อนด้วยตนเองในพื้นที่ทำงานของชิปอุปกรณ์จะเพิ่มขึ้นอย่างรวดเร็ว ทำให้ความคล่องตัวของผู้ให้บริการลดลง และอุปกรณ์มีลักษณะคงที่ 1-V จะลดลง ตัวบ่งชี้ประสิทธิภาพต่างๆ ลดลงอย่างรวดเร็ว และความน่าเชื่อถือและความเสถียรของอุปกรณ์กำลังถูกท้าทายอย่างมากการบูรณาการบริเวณใกล้ทางแยกของเพชร CVD การนำความร้อนสูงพิเศษและชิป GaN สามารถกระจายความร้อนที่เกิดจากอุปกรณ์ได้อย่างมีประสิทธิภาพ ปรับปรุงความน่าเชื่อถือและอายุการใช้งานของอุปกรณ์ และตระหนักถึงระบบอิเล็กทรอนิกส์ขนาดกะทัดรัด
เพชร CVD ที่มีค่าการนำความร้อนสูงเป็นพิเศษเป็นวัสดุกระจายความร้อนที่ดีที่สุดสำหรับชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์กำลังสูง ประสิทธิภาพสูง ย่อส่วนและบูรณาการในระดับสูงมีการใช้กันอย่างแพร่หลายในการสื่อสาร 5G การป้องกันประเทศ การบินและอวกาศ การคมนาคม และสาขาอื่นๆกรณีการใช้งานทั่วไปและข้อดีด้านประสิทธิภาพของวัสดุการนำความร้อนสูงพิเศษแบบเพชร:
1. การกระจายความร้อนของอุปกรณ์ Radar GaN RF;(กำลังสูง, ความถี่สูง, การย่อขนาด)
2. การกระจายความร้อนด้วยเลเซอร์เซมิคอนดักเตอร์(กำลังขับสูง ประสิทธิภาพการแปลงแสงไฟฟ้าสูง)
3. การกระจายความร้อนของสถานีฐานการสื่อสารความถี่สูง(กำลังสูง, ความถี่สูง)
เวลาโพสต์: 10 ต.ค.-2023