Cr4+:YAG –วัสดุที่เหมาะสำหรับการเปลี่ยน Q แบบพาสซีฟ
รายละเอียดสินค้า
Crystal Passive Q-switch เป็นที่นิยมเนื่องจากความเรียบง่ายในการผลิตและการใช้งาน ต้นทุนต่ำ และลดขนาดและน้ำหนักของระบบ
Cr4+:YAG มีความเสถียรทางเคมี ทนต่อรังสียูวี และมีความทนทานCr4+:YAG จะทำงานภายใต้อุณหภูมิและสภาวะที่หลากหลาย
ค่าการนำความร้อนที่ดีของ Cr4+:YAG เหมาะอย่างยิ่งสำหรับการใช้งานด้านพลังงานที่มีค่าเฉลี่ยสูง
มีการสาธิตผลลัพธ์ที่ยอดเยี่ยมโดยใช้ Cr4+:YAG เป็น Q-switch แบบพาสซีฟสำหรับเลเซอร์ Nd:YAGวัดความอิ่มตัวของสีที่ประมาณ 0.5 J/cm2เวลาฟื้นตัวช้าที่ 8.5 µs เมื่อเปรียบเทียบกับสีย้อม มีประโยชน์สำหรับการระงับการล็อคโหมด
บรรลุความกว้างของพัลส์สวิตช์ Q ที่ 7 ถึง 70 ns และอัตราการทำซ้ำสูงถึง 30 Hzการทดสอบเกณฑ์ความเสียหายด้วยเลเซอร์แสดงให้เห็นว่า Cr4+:YAG สวิตช์ Q แบบพาสซีฟที่เคลือบด้วย AR เกิน 500 MW/cm2
คุณภาพการมองเห็นและความสม่ำเสมอของ Cr4+:YAG นั้นยอดเยี่ยมมากเพื่อลดการสูญเสียการแทรก คริสตัลจึงเคลือบ ARคริสตัล Cr4+:YAG มีจำหน่ายโดยมีเส้นผ่านศูนย์กลางมาตรฐาน และมีความหนาแน่นและความยาวของการมองเห็นที่หลากหลายเพื่อให้ตรงกับข้อกำหนดเฉพาะของคุณ
นอกจากนี้ยังสามารถใช้เพื่อเชื่อมด้วยNd:YAGและNd,Ce:YAG,ขนาดลำลองเช่นD5*(85+5)
ข้อดีของ Cr4+:YAG
● ความเสถียรและความน่าเชื่อถือทางเคมีสูง
● ใช้งานง่าย
● เกณฑ์ความเสียหายสูง (>500MW/cm2)
● Q-Switch แบบพาสซีฟกำลังสูง โซลิดสเตต และขนาดกะทัดรัด
● อายุการใช้งานยาวนานและการนำความร้อนได้ดี
คุณสมบัติพื้นฐาน
| ชื่อผลิตภัณฑ์ | Cr4+:Y3Al5O12 |
| โครงสร้างคริสตัล | คิวบิก |
| ระดับสารเจือปน | 0.5mol-3mol% |
| โมห์ ฮาร์ดเนส | 8.5 |
| ดัชนีการหักเหของแสง | 1.82@1064นาโนเมตร |
| ปฐมนิเทศ | < 100>ภายใน 5° หรือภายใน 5° |
| ค่าสัมประสิทธิ์การดูดซึมเริ่มต้น | 0.1~8.5ซม.@1064นาโนเมตร |
| การส่งสัญญาณเริ่มต้น | 3%~98% |
พารามิเตอร์ทางเทคนิค
| ขนาด | 3~20มม., สูง×กว้าง:3×3~20×20มม. ตามคำขอของลูกค้า |
| ความคลาดเคลื่อนมิติ | เส้นผ่านศูนย์กลาง: ± 0.05 มม. ความยาว: ± 0.5 มม |
| บาร์เรลเสร็จสิ้น | งานกราวด์ 400#Gmt |
| ความเท่าเทียม | ≤ 20" |
| ความตั้งฉาก | ≤ 15 ′ |
| ความเรียบ | < แล/10 |
| คุณภาพพื้นผิว | 20/10 (MIL-O-13830A) |
| ความยาวคลื่น | 950 นาโนเมตร ~ 1100 นาโนเมตร |
| การเคลือบเออาร์ การสะท้อนแสง | ≤ 0.2% (@1064nm) |
| เกณฑ์ความเสียหาย | ≥ 500MW/cm2 10ns 1Hz ที่ 1,064 นาโนเมตร |
| แชมเฟอร์ | <0.1 มม. @ 45° |
